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Bauelemente der Halbleiter-Elektronik - download pdf or read online

By Rudolf Müller

ISBN-10: 3540544895

ISBN-13: 9783540544890

ISBN-10: 3642845916

ISBN-13: 9783642845918

Aus den Besprechungen: "... In diesem Sinne dient das vorliegende Buch einemdoppelten Zweck: Einmal soll es die Grundlagenkenntnisse vertiefen helfen, z.B. dadurch, da~ die Transistoren als typisches Beispiel eines Halbleiterbauelements beschrieben werden; nicht die technischen info stehen im Vordergrund, sondern die Begr}ndung der jeweiligen Beschreibung, so da~ der Leser in der F{higkeit ge}bt wird, sp{ter neue Bauelemente leichter zu verstehen. Zum anderen soll durch die auf das Wesentliche beschr{nkte Beschreibung der technisch interessanten Bauelemente der ]berblick }ber diese Vielfalt erleichtert werden. Das Lehrbuch richtet sich vorwiegend an Studenten und Absolventen von Ingenieur- und Technikerschulen. " #Elektrotechnik# "... Das Buch beschreibt alle technisch interessanten Halbleiter-Bauelemente. Der Schwerpunkt liegt beim Prinzip ihres Aufbaus, der Wirkungsweise und den wesentlichen elektrischen Eigenschaften. In sechs Abschnitten sind alle Dioden - bis hin zu Laser-, Gunn- und LSA-Dioden - bipolare und Feldeffekt-Transistoren, Thyristoren, integrierte Schaltungen und spezielle Halbleiter-Bauelemente dargestellt. Das Buch ist sowohl Studenten wie auch Ingenieuren in der Praxis eine hilfreiche Informationsquelle." #Elektronik Industrie# Inhalts}bersicht:

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Diese Uberlegungen flihren zu den sog. pin-Fotodioden. Wie Bild 1140 zeigt, ist die n-Zone sehr diinn und die i-Zone (flir eine mittlere Wellenlange) etwa so groB wie 1IfX. Bild 1140. Schematische Darstellung einer pin-Fotodiode [26]. x 51 Wenn die Diodenspannung bis zum Beginn des Durchbruchs erhOht wird, wird der Fotostrom durch Tragermultiplikation verstarkt [25, 27]. Es ist dazu notwendig, daB der Lawinendurchbruch homogen tiber dem ganzen Querschnitt erfolgt. In normalen Dioden erfolgt aber der Durchbruch am Rande der Diode, da dort das elektrische Feld am groBten ist (z.

3 oder z. B. [169]). Die dann vorhandenen seitlichen "Elektroden" (source und drain) ermoglichen eine rasche Anderung der Inversionsladung. 11 Metall-Halbleiter-Kontakt (Schottky-Diode, Ohmscher Kontakt) Metall-Halbleiter-Kontakte kann man hinsichtlich ihrer Kennlinien in zwei Gruppen teilen (Bild 1131): "Ohmsche" Kontakte mit einem der Spannung etwa proportionalen Strom und Schottky-Dioden mit einer stark I ohm scher Konlakl ........ BUd 1/31. ]-U-Kennlinien fUr Metall-Halbleiter-Ubergange. nichtlinearen Diodenkennlinie.

BUd 1125. Biinderschema der Tunneldiode flir die in BUd 1124 eingezeichneten Punkte der Kennlinie. b a c d e Dies sei anhand des Biinderschemas niiher erkliirt (Bild 1125): Wegen der starken Dotierung ist der Halbleiter entartet, d. h. das Fermi-Niveau liegt im erlaubten Band (z. B. [3], S. 84). Fiir U = 0 (Bild 1I25b) liegen die Fermi-Niveaus in beiden Bereichen auf gleicher Hohe, und es flieBt insgesamt kein Strom. Bei Polung in Sperrichtung (Bild 1I25a) und ebenso bei schwacher Polung in FluBrichtung (Bild 1I25c) konnen Tunnelstrome flieBen.

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Bauelemente der Halbleiter-Elektronik by Rudolf Müller


by Mark
4.1

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